英特尔将展示配备能效核的特殊芯片 采用背面供电，Intel 4工艺制造

英特尔在2021年7月的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，展示了一系列底层技术创新，这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。其中包括了PowerVia技术，这是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络（PDN），通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输，原计划在Intel 20A制程节点引入。

据TomsHardware报道，2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行，英特尔将在这次活动上披露PowerVia技术的研究成果，展示一款特别定制的芯片。其采用了背面供电，配备了未命名的能效核，以Intel 4工艺制造，以便向那些有兴趣使用英特尔代工服务（IFS）的潜在客户展示新技术的有点。作为实验性的芯片，应该不会量产使用的。

据了解，这颗特殊的芯片基于的能效核可能是新的架构，推测为Crestmont架构，利用PowerVia技术让核心大部分区域实现了超过90%的标准单元利用率，频率也提高了5%以上。尽管不能评估其实际工作负载中的表现，但英特尔称测试芯片达到了预期效果，有着更高功率密度，似乎说明了新技术的应用非常有效。

背面供电设计助于解决后端线路（BEOL）中电阻增加等问题，这可以提高晶体管的性能并降低功耗，同时也消除了数据和电源连接之间的潜在干扰，另外还可以减少面积，可能会让晶体管密度更高。除了英特尔以外，三星也计划使用一种称为“BSPDN”的技术，用于2nm芯片上。